Как карта MicroSD может хранить до 400 ГБ данных

31 Августа 2017 года компания SanDisk анонсировала карту памяти MicroSD с емкостью 400 ГБ. Невероятно, но карта памяти размером с монету может хранить 40 часов необработанного видео в 1080р. Еще 10 лет назад это было фантастикой. Но действительно ли это предел? Можно ли поместить еще больше информации в пространство размером в 5 квадратных миллиметров?

Полусантиметровые карты памяти не предоставляют много пространства, а устройства, которые изготавливаются для MicroSD, не могут быть переоборудованы под более габаритные носители. Это значит, что компаниям приходится работать учитывая эти ограничения.

Как правило, производители карт памяти сокращают размер транзисторов. Это позволяет вместить больше транзисторов в крошечный корпус. В 2013 году размер транзисторов достиг 19 нм. Один слой этих транзисторов в полусантиметровом пространстве обеспечивал 8 ГБ места, что с головой хватило для небольших устройств.

Чтобы сделать еще более вместительные MicroSD, производители накладывают слои транзисторов друг на друга, что удваивает объем доступного для хранения данных пространства.

Учитывая размер в 10 нм, для 64 ГБ памяти понадобится восемь слоев транзисторов. А чтобы получить 400 ГБ, нужно ровно 50 слоев. Хотя, теоретически это возможно, но на практике поместить столько слоев в столь ограниченное пространство очень сложно.

Мы уже говорили, что изменить размер слота на устройствах нецелесообразно. Единственный вариант — развивать технологию производства микротранзисторов, и сделать их меньше.

Теоретически, транзистор может быть размером в молекулу. 14 августа удалось создать одномолекулярные транзисторы, которые устойчиво работали при комнатной температуре. Поскольку процесс их создания слишком сложный, в ближайшее время они вряд ли станут популярными. Скоро мы увидим 5 нанометровые транзисторы.

Транзисторы находятся в трехмерном пространстве, а это значит, что сделав их меньшими, мы получим больше места для их расположения и складывания слоев. В соответствии с спецификацией 10 нм транзисторов, которые стали доступны в этом году, производители могут установить 400 ГБ памяти с использованием 25 слоев по 16 ГБ.

С 5-нм транзисторами можно создать терабайтные microSD. А как вы считаете, действительно ли нужен такой объем в microSD? Делитесь в комментариях.

Источник: www.maketecheasier.com

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *